MPBW40N65BU - аналоги и описание IGBT

 

MPBW40N65BU - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: MPBW40N65BU
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 54 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для MPBW40N65BU

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры MPBW40N65BU

 ..1. Size:719K  cn marching-power
 mpbw40n65bu.pdf pdf_icon

MPBW40N65BU

 4.1. Size:1240K  cn marching-power
 mpbw40n65bh.pdf pdf_icon

MPBW40N65BU

 5.1. Size:994K  cn marching-power
 mpbw40n65e.pdf pdf_icon

MPBW40N65BU

MPBW40N65E 650V-40A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to UPS positive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsat fast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBW40N65E MP40N65E TO-247-3

 6.1. Size:605K  cn marching-power
 mpbw40n60bf.pdf pdf_icon

MPBW40N65BU

MPBW40N60BF 600V 40A IGBT UPS TO-247 MPBW40N60BF MP40N60BF TO-247 1 -

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MPBQ75N120E , MPBW15N120BF , MPBW25N120BF , MPBW30N120E , MPBW30N65E , MPBW40N120BF , MPBW40N120EH , MPBW40N120ES , IRG4PF50W , MPBW40N65E , MPBW50N65E , MPBW50N65ED , MPBW50N65EH , MPBW50N65ES , MPBW75N65E , MPGC50N65E , MPGW40N65E .

 

 
Back to Top

 


 
.