MPBW75N65E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBW75N65E
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: MP75N65E
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 395 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 90 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 83
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 244
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 209
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MPBW75N65E - IGBT
MPBW75N65E Datasheet (PDF)
mpbw75n65e.pdf
MPBW75N65E650V-75A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Solar converterspositive temperature coefficient in VCEsat UPS Low VCEsatfast switching Welding converters High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW75N65E MP75N65E TO-2471Max
Otros transistores... MPBW40N120EH , MPBW40N120ES , MPBW40N65BU , MPBW40N65E , MPBW50N65E , MPBW50N65ED , MPBW50N65EH , MPBW50N65ES , IRG4PC50UD , MPGC50N65E , MPGW40N65E , DAG075F065P1 , DAHF075G120SA , DAHF100G120SA , DAHF150G120SA , DAHF150G120SB , DAHF200G120SB .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: DAZF150G120XCA | DAZF150G120SCA | DAZF100G170XCA | DAZF100G120XCA | DAZF100G120SCA | DAZF075G120XCA | DAZF075G120SCA | DAHF300G120SB | DAHF225G120SB | DAHF200G120SB | DAHF150G120SB