MPBW75N65E IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBW75N65E
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 395 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 83 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 244 pF
Encapsulados: TO-247
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MPBW75N65E datasheet
mpbw75n65e.pdf
MPBW75N65E 650V-75A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Solar converters positive temperature coefficient in VCEsat UPS Low VCEsat fast switching Welding converters High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBW75N65E MP75N65E TO-247 1 Max
Otros transistores... MPBW40N120EH , MPBW40N120ES , MPBW40N65BU , MPBW40N65E , MPBW50N65E , MPBW50N65ED , MPBW50N65EH , MPBW50N65ES , IRGB20B60PD1 , MPGC50N65E , MPGW40N65E , DAG075F065P1 , DAHF075G120SA , DAHF100G120SA , DAHF150G120SA , DAHF150G120SB , DAHF200G120SB .
History: MIXA61H1200ED
History: MIXA61H1200ED
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