DAHF200G120SB Todos los transistores

 

DAHF200G120SB - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DAHF200G120SB
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 240 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 900 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 2530 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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DAHF200G120SB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  dacosemi
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DAHF200G120SB

DAHF200G120SBDACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.IGBT Power Module1200V / 200APreliminaryHDA-10662A-10662Features 62mm Fast Switching / Trench Field Stop IGBT Technology Low Switching Losses Super Fast Diodes High Short Circuit CapabilityApplications Welder / Power SupplyCircuit Diagram Headline UPS / Inverter6 Industrial Motor Drive71 2 35M

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DAHF200G120SB

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