DAHF200G120SB - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DAHF200G120SB
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 1100
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 240
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.8
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 60
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 900
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 2530
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DAHF200G120SB
DAHF200G120SB Datasheet (PDF)
dahf200g120sb.pdf
DAHF200G120SBDACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.IGBT Power Module1200V / 200APreliminaryHDA-10662A-10662Features 62mm Fast Switching / Trench Field Stop IGBT Technology Low Switching Losses Super Fast Diodes High Short Circuit CapabilityApplications Welder / Power SupplyCircuit Diagram Headline UPS / Inverter6 Industrial Motor Drive71 2 35M
dahf225g120sb.pdf
DAHF225G120SBDACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.IGBT Power Module1200V / 225APreliminaryHDA-10662-10662Features 62mm Fast Switching / Trench Field Stop IGBT Technology Low Switching Losses Super Fast Diodes High Short Circuit CapabilityApplications Welder / Power SupplyCircuit Diagram Headline UPS / Inverter6 Industrial Motor Drive71 2 35Ma
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: DAZF150G120XCA | DAZF150G120SCA | DAZF100G170XCA | DAZF100G120XCA | DAZF100G120SCA | DAZF075G120XCA | DAZF075G120SCA | DAHF300G120SB | DAHF225G120SB | DAHF200G120SB | DAHF150G120SB