Справочник IGBT. DAHF200G120SB

 

DAHF200G120SB Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DAHF200G120SB
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 240 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 900 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

DAHF200G120SB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  dacosemi
 dahf200g120sb.pdf pdf_icon

DAHF200G120SB

DAHF200G120SBDACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.IGBT Power Module1200V / 200APreliminaryHDA-10662A-10662Features 62mm Fast Switching / Trench Field Stop IGBT Technology Low Switching Losses Super Fast Diodes High Short Circuit CapabilityApplications Welder / Power SupplyCircuit Diagram Headline UPS / Inverter6 Industrial Motor Drive71 2 35M

 9.1. Size:550K  dacosemi
 dahf225g120sb.pdf pdf_icon

DAHF200G120SB

DAHF225G120SBDACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.IGBT Power Module1200V / 225APreliminaryHDA-10662-10662Features 62mm Fast Switching / Trench Field Stop IGBT Technology Low Switching Losses Super Fast Diodes High Short Circuit CapabilityApplications Welder / Power SupplyCircuit Diagram Headline UPS / Inverter6 Industrial Motor Drive71 2 35Ma

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: CM150DU-24NFH | SKM150GB174D | FD800R33KF2C-K | IGW75N60H3 | CM400DY-24NF | IKB40N65ES5 | VS-GB100TP120N

 

 
Back to Top

 


 
.