Справочник IGBT. DAHF200G120SB

 

DAHF200G120SB - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DAHF200G120SB
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 240 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 900 pF
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для DAHF200G120SB

 

 

DAHF200G120SB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  dacosemi
 dahf200g120sb.pdf

DAHF200G120SB DAHF200G120SB

DAHF200G120SBDACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.IGBT Power Module1200V / 200APreliminaryHDA-10662A-10662Features 62mm Fast Switching / Trench Field Stop IGBT Technology Low Switching Losses Super Fast Diodes High Short Circuit CapabilityApplications Welder / Power SupplyCircuit Diagram Headline UPS / Inverter6 Industrial Motor Drive71 2 35M

 9.1. Size:550K  dacosemi
 dahf225g120sb.pdf

DAHF200G120SB DAHF200G120SB

DAHF225G120SBDACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.IGBT Power Module1200V / 225APreliminaryHDA-10662-10662Features 62mm Fast Switching / Trench Field Stop IGBT Technology Low Switching Losses Super Fast Diodes High Short Circuit CapabilityApplications Welder / Power SupplyCircuit Diagram Headline UPS / Inverter6 Industrial Motor Drive71 2 35Ma

Другие IGBT... BLG15T65FUA-P , BLG15T65FUL-B , BLG15T65FUL-P , BLG15T65FUL-A , BLG20T65FDLA-A , BLG20T65FDLA-P , BLG20T65FDLA-F , BLG20T65FDLA-B , SGT40N60NPFDPN , BLG20T65FULA-A , BLG3040-D , BLG3040-B , BLG3040-P , BLG3040-I , BLG40T120FDH-F , BLG40T120FUH-F , BLG40T120FUK-F .

 

 
Back to Top