DAHF300G120SB - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DAHF300G120SB
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1600 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 450 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1300 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de DAHF300G120SB - IGBT
DAHF300G120SB Datasheet (PDF)
dahf300g120sb.pdf
DAHF300G120SBDACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.IGBT Power Module1200V / 300APreliminaryHDA-10662-10662Features 62mm Fast Switching / TrenchField Stop IGBT Technology Low Switching Losses Super Fast Diodes High Short Circuit CapabilityApplications Welder / Power SupplyCircuit Diagram Headline UPS / Inverter6 Industrial Motor Drive71 2 35Max
Otros transistores... MPGW40N65E , DAG075F065P1 , DAHF075G120SA , DAHF100G120SA , DAHF150G120SA , DAHF150G120SB , DAHF200G120SB , DAHF225G120SB , FGH40N60UFD , DAZF075G120SCA , DAZF075G120XCA , DAZF100G120SCA , DAZF100G120XCA , DAZF100G170XCA , DAZF150G120SCA , DAZF150G120XCA , AOB10B65M1 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2