Справочник IGBT. DAHF300G120SB

 

DAHF300G120SB - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DAHF300G120SB
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 450 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1300 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 3600 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для DAHF300G120SB

 

 

DAHF300G120SB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:717K  dacosemi
dahf300g120sb.pdf

DAHF300G120SB DAHF300G120SB

DAHF300G120SBDACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.IGBT Power Module1200V / 300APreliminaryHDA-10662-10662Features 62mm Fast Switching / TrenchField Stop IGBT Technology Low Switching Losses Super Fast Diodes High Short Circuit CapabilityApplications Welder / Power SupplyCircuit Diagram Headline UPS / Inverter6 Industrial Motor Drive71 2 35Max

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top