AOD6B65MQ1E IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOD6B65MQ1E
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 96 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 16 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 35 pF
Encapsulados: TO252
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AOD6B65MQ1E datasheet
aod6b65mq1e.pdf
AOD6B65MQ1E TM 650V, 6A AlphaIGBT With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 6A C) IGBT copacked with very fast and soft antiparallel VCE(sat) (TJ=25 1.9V C) diode Very good EMI performance with lower turn-on switching losses H
aod6b60m1.pdf
AOD6B60M1 TM 600V, 6A AlphaIGBT With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) Technology 600V 600V Breakdown Voltage IC (TC=100 C) 6A Very Fast and Soft Recovery Freewheeling Diode VCE(sat) (TJ=25 C) 1.7V High Efficient Turn-On di/dt Controllability Low VCE(sat) Enables High Efficiencies L
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