AOD7B65M3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOD7B65M3
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 69 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 14 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.87 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.9 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 14 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 36 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 14 nC
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de AOD7B65M3 - IGBT
AOD7B65M3 Datasheet (PDF)
aod7b65m3.pdf
AOD7B65M3TM650V, 7AAlphaIGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 7AC) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.87VC) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficiencie
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Liste
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