AOD7B65M3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOD7B65M3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 69 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.87 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 14 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 36 pF
Encapsulados: TO252
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AOD7B65M3 datasheet
aod7b65m3.pdf
AOD7B65M3 TM 650V, 7AAlphaIGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 7A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.87V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficiencie
Otros transistores... AOB5B65M1 , AOBS30B65LN , AOD5B65M1E , AOD5B65M1H , AOD5B65MQ1E , AOD5B65N1 , AOD6B60M1 , AOD6B65MQ1E , GT30F126 , AOD8B65MQ1 , AOGF40B65H2AL , AOGF60B65H2AL , AOK20B120D1 , AOK20B120E1 , AOK20B120E2 , AOK20B135D1 , AOK20B135E1 .
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