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DGC75F65M - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DGC75F65M
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 375 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 125 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 243 pF
   Paquete / Cubierta: TO247

 Búsqueda de reemplazo de DGC75F65M - IGBT

 

DGC75F65M Datasheet (PDF)

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 dgc75f65m.pdf pdf_icon

DGC75F65M

DGC75F65M 75A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor 1 Description Using DongHai's proprietary Trench design and advance FS technology, the 650V FS IGBT offers superior and switching performances, high avalanche ruggedness easy parallel operation 2 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage VCE(sat), typ = 1.7V @ I =75A

 8.1. Size:791K  cn wxdh
 dgc75f120m2.pdf pdf_icon

DGC75F65M

DGC75F120M2 75A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor 1 Description Using DongHai's proprietary Trench design and advance FS technology, the 1200V FS IGBT offers superior and switching performances, high avalanche ruggedness easy parallel operation 2 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage V , typ = 2.1V

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