DGC75F65M - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DGC75F65M
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 375 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 125 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 243 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 187 nC
Paquete / Cubierta: TO247
- Selección de transistores por parámetros
DGC75F65M Datasheet (PDF)
dgc75f65m.pdf
DGC75F65M75A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor1 DescriptionUsing DongHai's proprietary Trench design and advanceFS technology, the 650V FS IGBT offers superior andswitching performances, high avalanche ruggednesseasy parallel operation2 Features FS Trench Technology, Positive temperaturecoefficient Low saturation voltage: VCE(sat), typ = 1.7V@ I =75A
dgc75f120m2.pdf
DGC75F120M2 75A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor 1 Description Using DongHai's proprietary Trench design and advance FS technology, the 1200V FS IGBT offers superior and switching performances, high avalanche ruggedness easy parallel operation 2 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage: V , typ = 2.1V
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Liste
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