DGC75F65M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DGC75F65M  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 125 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 243 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DGC75F65M

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DGC75F65M даташит

 ..1. Size:944K  cn wxdh
 dgc75f65m.pdf pdf_icon

DGC75F65M

DGC75F65M 75A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor 1 Description Using DongHai's proprietary Trench design and advance FS technology, the 650V FS IGBT offers superior and switching performances, high avalanche ruggedness easy parallel operation 2 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage VCE(sat), typ = 1.7V @ I =75A

 8.1. Size:791K  cn wxdh
 dgc75f120m2.pdf pdf_icon

DGC75F65M

DGC75F120M2 75A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor 1 Description Using DongHai's proprietary Trench design and advance FS technology, the 1200V FS IGBT offers superior and switching performances, high avalanche ruggedness easy parallel operation 2 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage V , typ = 2.1V

Другие IGBT... G50T65D, DGC20F65M2, DGC40F120M2, DGC40F65M2, DGC40H120M2, DGC50F65M2, DGC60F65M, DGC75F120M2, GT30F131, DGD06F65M2, DGE20F65M2, DGF30F65M2, DHG60T65D, G25T120D, G40N120D, G50T65DS, G50T65LBBW