DGE20F65M2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DGE20F65M2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 166 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 24 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 85 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 48 nC
Paquete / Cubierta: TO263
- Selección de transistores por parámetros
DGE20F65M2 Datasheet (PDF)
dge20f65m2.pdf
DGE20F65M220A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor1 DescriptionUsing DongHai's proprietary Trench design and advancedFS technology, the 650V FS IGBT offers superiorswitching performances, high avalanche ruggedness andeasy parallel operation2 Features FS Trench Technology, positive temperature coefficient Low saturation voltage: V (sat), typ = 1.8VCE@ I =
Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
Liste
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