DHG60T65D Todos los transistores

 

DHG60T65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHG60T65D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 406 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 124 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 224 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 117 nC
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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DHG60T65D Datasheet (PDF)

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DHG60T65D

DHG60T65DInsulated Gate Bipolar TransistorV 650 VGeneral Description CESI 60 ACUsing DongHai's proprietary Planar design and advanced406 WPtot TC=25FS technology, the 650V FS IGBT offers superior conductionV 1.85 VCE(sat)and switching performances, high avalanche ruggedness andTO-3PN PACKAGEeasy parallel operation.Features FS Trench Technolo

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