DHG60T65D Todos los transistores

 

DHG60T65D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DHG60T65D

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 406 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 124 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 224 pF

Encapsulados: TO3PN

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DHG60T65D datasheet

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DHG60T65D

DHG60T65D Insulated Gate Bipolar Transistor V 650 V General Description CES I 60 A C Using DongHai's proprietary Planar design and advanced 406 W P tot TC=25 FS technology, the 650V FS IGBT offers superior conduction V 1.85 V CE(sat) and switching performances, high avalanche ruggedness and TO-3PN PACKAGE easy parallel operation. Features FS Trench Technolo

Otros transistores... DGC40H120M2 , DGC50F65M2 , DGC60F65M , DGC75F120M2 , DGC75F65M , DGD06F65M2 , DGE20F65M2 , DGF30F65M2 , FGPF4533 , G25T120D , G40N120D , G50T65DS , G50T65LBBW , DHG20T65D , JJT10N65SC , JJT10N65SCD , JJT10N65SGD .

History: STGWT80V60F | MMG50A120B6C

 

 

 


 
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