DHG60T65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DHG60T65D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 406 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 124 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 224 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 117 nC
Paquete / Cubierta: TO3PN
- Selección de transistores por parámetros
DHG60T65D Datasheet (PDF)
dhg60t65d.pdf
DHG60T65DInsulated Gate Bipolar TransistorV 650 VGeneral Description CESI 60 ACUsing DongHai's proprietary Planar design and advanced406 WPtot TC=25FS technology, the 650V FS IGBT offers superior conductionV 1.85 VCE(sat)and switching performances, high avalanche ruggedness andTO-3PN PACKAGEeasy parallel operation.Features FS Trench Technolo
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M