DHG60T65D Todos los transistores

 

DHG60T65D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHG60T65D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 406 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 124 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 224 pF
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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DHG60T65D datasheet

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DHG60T65D

DHG60T65D Insulated Gate Bipolar Transistor V 650 V General Description CES I 60 A C Using DongHai's proprietary Planar design and advanced 406 W P tot TC=25 FS technology, the 650V FS IGBT offers superior conduction V 1.85 V CE(sat) and switching performances, high avalanche ruggedness and TO-3PN PACKAGE easy parallel operation. Features FS Trench Technolo... See More ⇒

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