IXSH50N60B IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXSH50N60B
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 440 pF
Encapsulados: TO274
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IXSH50N60B datasheet
ixsh50n60b.pdf
IXSH 50N60B IGBT High Speed V bp = 600 V I OR = 75 A Short Circuit SOA Capability V bE F = 2.5 V m = = Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G =Eq^_F VGES Continuous 20 V C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C, limited by leads 75 A G = Gate, C = Co
Otros transistores... IXSH35N100A , IXSH35N120A , IXSH35N140A , IXSH40N60 , IXSH40N60A , IXSH40N60B , IXSH45N100 , IXSH45N120 , TGAN20N135FD , IXSH50N60BS , IXSK30N60BD1 , IXSK30N60CD1 , IXSK35N120AU1 , IXSK40N60BD1 , IXSK40N60CD1 , IXSK50N60AU1 , IXSK50N60BD1 .
History: FGY75T120SQDN | IXSK30N60CD1 | APT75GT120JU2 | SKM200GB174D
History: FGY75T120SQDN | IXSK30N60CD1 | APT75GT120JU2 | SKM200GB174D
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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