IXSH50N60B - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXSH50N60B
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 440 pF
Тип корпуса: TO274
Аналог (замена) для IXSH50N60B
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXSH50N60B даташит
ixsh50n60b.pdf
IXSH 50N60B IGBT High Speed V bp = 600 V I OR = 75 A Short Circuit SOA Capability V bE F = 2.5 V m = = Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G =Eq^_F VGES Continuous 20 V C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C, limited by leads 75 A G = Gate, C = Co
Другие IGBT... IXSH35N100A , IXSH35N120A , IXSH35N140A , IXSH40N60 , IXSH40N60A , IXSH40N60B , IXSH45N100 , IXSH45N120 , TGAN20N135FD , IXSH50N60BS , IXSK30N60BD1 , IXSK30N60CD1 , IXSK35N120AU1 , IXSK40N60BD1 , IXSK40N60CD1 , IXSK50N60AU1 , IXSK50N60BD1 .
History: MG25Q6ES51 | FGHL75T65LQDT | FGI3236-F085
History: MG25Q6ES51 | FGHL75T65LQDT | FGI3236-F085
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583