IXSH50N60B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXSH50N60B
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 440 pF
Тип корпуса: TO274
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXSH50N60B Datasheet (PDF)
ixsh50n60b.pdf
IXSH 50N60BIGBT High Speed V`bp = 600 VI`OR = 75 AShort Circuit SOA Capability V`bE~F = 2.5 Vm~=~~=Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 ADVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VG`=Eq^_FVGES Continuous 20 VCEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C, limited by leads 75 AG = Gate, C = Co
Другие IGBT... IXSH35N100A , IXSH35N120A , IXSH35N140A , IXSH40N60 , IXSH40N60A , IXSH40N60B , IXSH45N100 , IXSH45N120 , IHW40T60 , IXSH50N60BS , IXSK30N60BD1 , IXSK30N60CD1 , IXSK35N120AU1 , IXSK40N60BD1 , IXSK40N60CD1 , IXSK50N60AU1 , IXSK50N60BD1 .
History: MMG200D170B | MMG100J060U | CPV363M4UPBF | IKW50N65H5A | APTGF150A120T | FD600R17KF6C_B2
History: MMG200D170B | MMG100J060U | CPV363M4UPBF | IKW50N65H5A | APTGF150A120T | FD600R17KF6C_B2
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583