IXSX40N60CD1 Todos los transistores

 

IXSX40N60CD1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXSX40N60CD1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 440 pF
   Paquete / Cubierta: PLUS247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXSX40N60CD1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:45K  ixys
 ixsx40n60cd1.pdf pdf_icon

IXSX40N60CD1

IXSK 40N60CD1IGBT with Diode VCES = 600 VIXSX 40N60CD1PLUS247TM packageIC25 = 75 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA Capabilitytfi(typ) = 70 nsPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXSX)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VC (TAB)GVGES Continuous 20 VCEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C, li

 5.1. Size:45K  ixys
 ixsx40n60bd1.pdf pdf_icon

IXSX40N60CD1

IXSK 40N60BD1IGBT with Diode VCES = 600 VIXSX 40N60BD1PLUS247TM packageIC25 = 75 AVCE(sat) = 2.2 VShort Circuit SOA Capabilitytfi(typ) = 120 nsPreliminary dataPLUS 247TMSymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXSX)VCES TJ = 25C to 150C 600 VC (TAB)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VGCVGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VTO-264 AAIC25 T

Otros transistores... IXST30N60B , IXST30N60BD1 , IXST30N60C , IXST30N60CD1 , IXST40N60B , IXSM40N60A , IXSM45N100 , IXSX35N120AU1 , FGW75N60HD , IXSX50N60AU1 , IXSX50N60AU1S , IXSX50N60BD1 , IXSX50N60BU1 , KP730A , KP731A , KP810A , KP810B .

History: MMG100S120B6TN | APT33GF120B2RD | 4MBI400VG-060R-50 | SM2G100US60 | 2SH15 | IGB15N65S5 | FGPF4565

 

 
Back to Top

 


 
.