MDI200-12A4 Todos los transistores

 

MDI200-12A4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDI200-12A4
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1130 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: INT-A-PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

MDI200-12A4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  ixys
 mdi200-12a4.pdf pdf_icon

MDI200-12A4

MII 200-12 A4 MID 200-12 A4MDI 200-12 A4IC25 = 270 AIGBT ModulesVCES = 1200 VVCE(sat) typ. = 2.2 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA3MIIMID MDI2113 3 3110988 81 1 19 911 112 2 21010E 72873FeaturesSymbol Conditions Maximum RatingsNPT IGBT technologylow saturation voltageVCES TJ = 25C to 150C 1200 Vlow switching lossesVCGR

Otros transistores... KP730A , KP731A , KP810A , KP810B , KP810V , MDI100-12A3 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , RJP30H2A , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL , MGP11N60E , MGP11N60ED , MGP14N60E .

History: STGP30M65DF2 | STGP30V60DF | IRG4BC10SD-L | GT30J311 | IRGS4640D | BLG60T65FDK-K

 

 
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