MDI200-12A4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDI200-12A4
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1130 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Paquete / Cubierta: INT-A-PAK
Búsqueda de reemplazo de MDI200-12A4 - IGBT
MDI200-12A4 Datasheet (PDF)
mdi200-12a4.pdf
MII 200-12 A4 MID 200-12 A4MDI 200-12 A4IC25 = 270 AIGBT ModulesVCES = 1200 VVCE(sat) typ. = 2.2 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA3MIIMID MDI2113 3 3110988 81 1 19 911 112 2 21010E 72873FeaturesSymbol Conditions Maximum RatingsNPT IGBT technologylow saturation voltageVCES TJ = 25C to 150C 1200 Vlow switching lossesVCGR
Otros transistores... KP730A , KP731A , KP810A , KP810B , KP810V , MDI100-12A3 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MBQ60T65PES , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL , MGP11N60E , MGP11N60ED , MGP14N60E .
Liste
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IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2