MDI75-12A3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDI75-12A3
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 190 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 240 nC
Paquete / Cubierta: INT-A-PAK
Búsqueda de reemplazo de MDI75-12A3 IGBT
MDI75-12A3 Datasheet (PDF)
mdi75-12a3.pdf
MDI75-12A3VCES = 1200VIGBT (NPT) ModuleI= 90 AC25VCE(sat) = 2.2VBuck Chopper + free wheeling DiodePart numberMDI75-12A3Backside: isolated17632Features / Advantages: Applications: Package: Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching los
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Liste
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