MDI75-12A3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDI75-12A3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 190 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
Encapsulados: INT-A-PAK
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MDI75-12A3 datasheet
mdi75-12a3.pdf
MDI75-12A3 VCES = 1200V IGBT (NPT) Module I= 90 A C25 VCE(sat) = 2.2V Buck Chopper + free wheeling Diode Part number MDI75-12A3 Backside isolated 1 7 6 3 2 Features / Advantages Applications Package Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage V 3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching los
Otros transistores... KP810B , KP810V , MDI100-12A3 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , GT30J127 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL , MGP11N60E , MGP11N60ED , MGP14N60E , MGP15N35CL , MGP15N38CL , MGP15N40CL .
History: SKM400GAL124D | 6MBP100VDA120-50 | SKM200GAY173D
History: SKM400GAL124D | 6MBP100VDA120-50 | SKM200GAY173D
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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