Справочник IGBT. MDI75-12A3

 

MDI75-12A3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MDI75-12A3
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 240 nC
   Тип корпуса: INT-A-PAK
 

 Аналог (замена) для MDI75-12A3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MDI75-12A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  ixys
 mdi75-12a3.pdf pdf_icon

MDI75-12A3

MDI75-12A3VCES = 1200VIGBT (NPT) ModuleI= 90 AC25VCE(sat) = 2.2VBuck Chopper + free wheeling DiodePart numberMDI75-12A3Backside: isolated17632Features / Advantages: Applications: Package: Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching los

Другие IGBT... KP810B , KP810V , MDI100-12A3 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , IXGH60N60 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL , MGP11N60E , MGP11N60ED , MGP14N60E , MGP15N35CL , MGP15N38CL , MGP15N40CL .

 

 
Back to Top

 


 
.