MDI75-12A3 - аналоги и описание IGBT

 

MDI75-12A3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MDI75-12A3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

Тип корпуса: INT-A-PAK

 Аналог (замена) для MDI75-12A3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MDI75-12A3 даташит

 ..1. Size:191K  ixys
 mdi75-12a3.pdf pdf_icon

MDI75-12A3

MDI75-12A3 VCES = 1200V IGBT (NPT) Module I= 90 A C25 VCE(sat) = 2.2V Buck Chopper + free wheeling Diode Part number MDI75-12A3 Backside isolated 1 7 6 3 2 Features / Advantages Applications Package Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage V 3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching los

Другие IGBT... KP810B , KP810V , MDI100-12A3 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , GT30J127 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL , MGP11N60E , MGP11N60ED , MGP14N60E , MGP15N35CL , MGP15N38CL , MGP15N40CL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.