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MGB15N40CL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MGB15N40CL
   Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Código de marcado: G15N40CL
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 440 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 22 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 1.8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 4500 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 100 pF
   Paquete / Cubierta: D2PAK

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MGB15N40CL Datasheet (PDF)

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mgp15n40cl mgb15n40cl.pdf

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 8.1. Size:99K  1
mgb15n35clt4 mgp15n35cl.pdf

MGB15N40CL
MGB15N40CL

MGP15N35CL,MGB15N35CL,MGC15N35CLInternally ClampedN-Channel IGBThttp://onsemi.comThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and OverVoltage clampedNCHANNEL IGBTprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and15 A, 350

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