MGS13002D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MGS13002D
Tipo de transistor: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 15 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 0.5 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 11 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 6.4 nC
Paquete / Cubierta: TO92L
Búsqueda de reemplazo de MGS13002D - IGBT
MGS13002D Datasheet (PDF)
mgs13002drev0.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGS13002D/DDesigner's Data SheetMGS13002DInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis IGBT contains a builtin free wheeling diode and a gateprotection zener. Fast switching characteristics result in efficientPOWERLUXoperation at higher frequencies.IGBT BuiltIn Free
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Liste
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