MGS13002D Todos los transistores

 

MGS13002D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MGS13002D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 15 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 0.5 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 11 pF
   Paquete / Cubierta: TO92L
 

 Búsqueda de reemplazo de MGS13002D IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MGS13002D Datasheet (PDF)

 0.1. Size:135K  motorola
mgs13002drev0.pdf pdf_icon

MGS13002D

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGS13002D/DDesigner's Data SheetMGS13002DInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis IGBT contains a builtin free wheeling diode and a gateprotection zener. Fast switching characteristics result in efficientPOWERLUXoperation at higher frequencies.IGBT BuiltIn Free

Otros transistores... MGP20N40CL , MGP20N60U , MGP21N60E , MGP4N60E , MGP4N60ED , MGP7N60E , MGP7N60ED , MGS05N60D , IHW20N120R3 , MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 .

History: MID200-12A4 | CM100RX-12A

 

 
Back to Top

 


 
.