MGS13002D Todos los transistores

 

MGS13002D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MGS13002D

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 15 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 11 pF

Encapsulados: TO92L

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MGS13002D datasheet

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MGS13002D

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGS13002D/D Designer's Data Sheet MGS13002D Insulated Gate Bipolar Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate This IGBT contains a built in free wheeling diode and a gate protection zener. Fast switching characteristics result in efficient POWERLUX operation at higher frequencies. IGBT Built In Free

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History: STGBL6NC60DI | NCE40TD60BT | STGB40H65FB | GT30J322 | BG200B12UY3-I | JT05N065SAD | JT075N120F2MA1E

 

 

 

 

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