MGS13002D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MGS13002D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 15 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 0.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 11 pF
Encapsulados: TO92L
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MGS13002D datasheet
mgs13002drev0.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGS13002D/D Designer's Data Sheet MGS13002D Insulated Gate Bipolar Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate This IGBT contains a built in free wheeling diode and a gate protection zener. Fast switching characteristics result in efficient POWERLUX operation at higher frequencies. IGBT Built In Free
Otros transistores... MGP20N40CL , MGP20N60U , MGP21N60E , MGP4N60E , MGP4N60ED , MGP7N60E , MGP7N60ED , MGS05N60D , MBQ50T65FDSC , MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 .
History: STGBL6NC60DI | NCE40TD60BT | STGB40H65FB | GT30J322 | BG200B12UY3-I | JT05N065SAD | JT075N120F2MA1E
History: STGBL6NC60DI | NCE40TD60BT | STGB40H65FB | GT30J322 | BG200B12UY3-I | JT05N065SAD | JT075N120F2MA1E
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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