MGS13002D Todos los transistores

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MGS13002D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MGS13002D

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1W

Tensión colector-emisor (Vce): 600V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.6V

Tensión emisor-compuerta (Veg): 15V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 21

Capacitancia de salida (Cc), pF: 100pF

Empaquetado / Estuche: TO226AE

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MGS13002D Datasheet (PDF)

1.1. mgs13002drev0.pdf Size:135K _motorola

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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGS13002D/D Designer's? Data Sheet MGS13002D Insulated Gate Bipolar Transistor NChannel EnhancementMode Silicon Gate This IGBT contains a builtin free wheeling diode and a gate protection zener. Fast switching characteristics result in efficient POWERLUX operation at higher frequencies. IGBT BuiltIn Free Wheeling Diode

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