MID145-12A3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MID145-12A3
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 700 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 145 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
MID145-12A3 Datasheet (PDF)
mid145-12a3.pdf

MID145-12A3VCES = 1200VIGBT (NPT) ModuleI= 160AC25VCE(sat) = 2.2VBoost Chopper + free wheeling DiodePart numberMID145-12A3Backside: isolated13452Features / Advantages: Applications: Package: Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching
Otros transistores... MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 , JT075N065WED , MID150-12A4 , MID200-12A4 , MID300-12A4 , MID550-12A4 , MID75-12A3 , MMG05N60D , MSAGX60F60A , MSAGX60F60B .
History: IGW15T120 | IXSP15N120B | IXSH25N120AU1 | SKM200GAH123DKL | 1MBI300U2H-060L-50
History: IGW15T120 | IXSP15N120B | IXSH25N120AU1 | SKM200GAH123DKL | 1MBI300U2H-060L-50



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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