MID145-12A3 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: MID145-12A3 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 145 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
Тип корпуса: MODULE
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для MID145-12A3
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MID145-12A3 даташит
mid145-12a3.pdf
MID145-12A3 VCES = 1200V IGBT (NPT) Module I= 160A C25 VCE(sat) = 2.2V Boost Chopper + free wheeling Diode Part number MID145-12A3 Backside isolated 1 3 4 5 2 Features / Advantages Applications Package Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage V 3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching
Другие IGBT... MGW20N120, MGW20N60D, MGW21N60ED, MGW30N60, MGY20N120D, MGY25N120, MGY25N120D, MID100-12A3, CRG75T60AK3HD, MID150-12A4, MID200-12A4, MID300-12A4, MID550-12A4, MID75-12A3, MMG05N60D, MSAGX60F60A, MSAGX60F60B
History: SGR20N40L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor

