MSAGZ52F120A Todos los transistores

MSAGZ52F120A IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSAGZ52F120A

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 95 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2200pF pF

Encapsulados: SMD-P

- Selección ⓘ de transistores por parámetros