MSAHX60F60A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSAHX60F60A
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2500pF pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 125 nC
Paquete / Cubierta: SMD-P
Búsqueda de reemplazo de MSAHX60F60A - IGBT
MSAHX60F60A Datasheet (PDF)
msahx60f60a.pdf
2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220MSAGX60F60AFAX: (714) 966-5256MSAHX60F60AFeatures600 Volts Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof60 Amps Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance2.9 Volts vce(sat) Very low thermal resistance Reverse polarity availa
msahx75l60c.pdf
2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256 MSAHX75L60CFeatures600 Volts Rugged polysilicon gate cell structure75 Amps high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed, surface mount power package1.8 Volts vce(sat) Low package inductance Very low thermal resistance Reverse polarity available upon reque
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Liste
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