MSAHX60F60A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSAHX60F60A  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.9 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2500pF pF

Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 125 nC

Encapsulados: SMD-P

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MSAHX60F60A datasheet

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MSAHX60F60A

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 MSAGX60F60A FAX (714) 966-5256 MSAHX60F60A Features 600 Volts Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof 60 Amps Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance 2.9 Volts vce(sat) Very low thermal resistance Reverse polarity availa

 9.1. Size:34K  microsemi
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MSAHX60F60A

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 FAX (714) 966-5256 MSAHX75L60C Features 600 Volts Rugged polysilicon gate cell structure 75 Amps high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed, surface mount power package 1.8 Volts vce(sat) Low package inductance Very low thermal resistance Reverse polarity available upon reque

Otros transistores... MSAGX60F60A, MSAGX60F60B, MSAGX75F60A, MSAGX75F60B, MSAGX75L60A, MSAGX75L60B, MSAGZ52F120A, MSAGZ52F120B, IRGP4066D, MSAHX60F60B, MSAHX75L60C, MSAHX75L60D, MSAHZ52F120A, MSAHZ52F120B, NTE3311, NTE3312, NTE3320