Справочник IGBT. MSAHX60F60A

 

MSAHX60F60A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MSAHX60F60A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2500pF pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 125 nC
   Тип корпуса: SMD-P
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MSAHX60F60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:35K  microsemi
 msahx60f60a.pdf pdf_icon

MSAHX60F60A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220MSAGX60F60AFAX: (714) 966-5256MSAHX60F60AFeatures600 Volts Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof60 Amps Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance2.9 Volts vce(sat) Very low thermal resistance Reverse polarity availa

 9.1. Size:34K  microsemi
 msahx75l60c.pdf pdf_icon

MSAHX60F60A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256 MSAHX75L60CFeatures600 Volts Rugged polysilicon gate cell structure75 Amps high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed, surface mount power package1.8 Volts vce(sat) Low package inductance Very low thermal resistance Reverse polarity available upon reque

Другие IGBT... MSAGX60F60A , MSAGX60F60B , MSAGX75F60A , MSAGX75F60B , MSAGX75L60A , MSAGX75L60B , MSAGZ52F120A , MSAGZ52F120B , IRGP4066D , MSAHX60F60B , MSAHX75L60C , MSAHX75L60D , MSAHZ52F120A , MSAHZ52F120B , NTE3311 , NTE3312 , NTE3320 .

History: VS-GB150TS60NPBF | NCE20TH60BP | GT25Q101

 

 
Back to Top

 


 
.