MSAHZ52F120A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSAHZ52F120A  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 95 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2200pF pF

Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 160 nC

Encapsulados: SMD-P

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MSAHZ52F120A datasheet

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MSAHZ52F120A

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 MSAGZ52F120A FAX (714) 966-5256 MSAHZ52F120A Features 1200 Volts Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof 52 Amps Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance 3.2 Volts vce(sat) Very low thermal resistance Reverse polarity ava

Otros transistores... MSAGX75L60A, MSAGX75L60B, MSAGZ52F120A, MSAGZ52F120B, MSAHX60F60A, MSAHX60F60B, MSAHX75L60C, MSAHX75L60D, SGP30N60, MSAHZ52F120B, NTE3311, NTE3312, NTE3320, NTE3321, NTE3322, NTE3323, P12N60C3