MSAHZ52F120A Todos los transistores

 

MSAHZ52F120A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSAHZ52F120A

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 300

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 3.2

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 52

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 95

Capacitancia de salida (Cc), pF: 2200pF

Empaquetado / Estuche: SMD-P

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MSAHZ52F120A Datasheet (PDF)

1.1. msahz52f120a.pdf Size:35K _microsemi

MSAHZ52F120A
MSAHZ52F120A

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH: (714) 979-8220 MSAGZ52F120A FAX: (714) 966-5256 MSAHZ52F120A Features 1200 Volts • Rugged polysilicon gate cell structure • high current handling capability, latch-proof 52 Amps • Hermetically sealed, surface mount power package • Low package inductance 3.2 Volts vce(sat) • Very low thermal resistance • Reverse polarity ava

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