Справочник IGBT. MSAHZ52F120A

 

MSAHZ52F120A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MSAHZ52F120A

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.2

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 52

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 95

Емкость коллектора (Cc), pf: 2200pF

Корпус: SMD-P

Аналог (замена) для MSAHZ52F120A

 

 

MSAHZ52F120A Datasheet (PDF)

1.1. msahz52f120a.pdf Size:35K _igbt

MSAHZ52F120A
MSAHZ52F120A

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH: (714) 979-8220 MSAGZ52F120A FAX: (714) 966-5256 MSAHZ52F120A Features 1200 Volts • Rugged polysilicon gate cell structure • high current handling capability, latch-proof 52 Amps • Hermetically sealed, surface mount power package • Low package inductance 3.2 Volts vce(sat) • Very low thermal resistance • Reverse polarity ava

1.2. msahz52f120a.pdf Size:35K _microsemi

MSAHZ52F120A
MSAHZ52F120A

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH: (714) 979-8220 MSAGZ52F120A FAX: (714) 966-5256 MSAHZ52F120A Features 1200 Volts • Rugged polysilicon gate cell structure • high current handling capability, latch-proof 52 Amps • Hermetically sealed, surface mount power package • Low package inductance 3.2 Volts vce(sat) • Very low thermal resistance • Reverse polarity ava

 

Другие IGBT... MSAGX75L60A , MSAGX75L60B , MSAGZ52F120A , MSAGZ52F120B , MSAHX60F60A , MSAHX60F60B , MSAHX75L60C , MSAHX75L60D , SGW30N60HS , MSAHZ52F120B , NTE3311 , NTE3312 , NTE3320 , NTE3321 , NTE3322 , NTE3323 , P12N60C3 .

 

 
Back to Top