MSAHZ52F120A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MSAHZ52F120A  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 52 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 95 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2200pF pF

Тип корпуса: SMD-P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MSAHZ52F120A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MSAHZ52F120A даташит

 ..1. Size:35K  microsemi
 msahz52f120a.pdf pdf_icon

MSAHZ52F120A

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 MSAGZ52F120A FAX (714) 966-5256 MSAHZ52F120A Features 1200 Volts Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof 52 Amps Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance 3.2 Volts vce(sat) Very low thermal resistance Reverse polarity ava

Другие IGBT... MSAGX75L60A, MSAGX75L60B, MSAGZ52F120A, MSAGZ52F120B, MSAHX60F60A, MSAHX60F60B, MSAHX75L60C, MSAHX75L60D, SGP30N60, MSAHZ52F120B, NTE3311, NTE3312, NTE3320, NTE3321, NTE3322, NTE3323, P12N60C3