NTE3323 Todos los transistores

 

NTE3323 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTE3323

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 200W

Tensión colector-emisor (Vce): 1200V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat):

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 25A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Tiempo de elevación:

Capacitancia de salida (Cc), pF: 3200

Empaquetado / Estuche:

Búsqueda de reemplazo de NTE3323 - IGBT

 

NTE3323 Datasheet (PDF)

1.1. nte3323.pdf Size:45K _igbt

NTE3323
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NTE3323 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features: D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications: D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.1. nte3322.pdf Size:69K _igbt

NTE3323
NTE3323

NTE3322 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch TO3PBL Features: D Enhancemnt Mode Type D FRD Included Bwetwen Emitter and Collector D High Speed D Low Saturation Voltage Applications: D High Power Switching Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.2. nte3320.pdf Size:43K _igbt

NTE3323
NTE3323

NTE3320 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features: D Fourth Generation IGBT D Enhancement Mode Type D High Speed D Low Switching Loss D Low Saturation Voltage Applications: D High Power Switching Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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