RCH10N35 Todos los transistores

 

RCH10N35 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCH10N35

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 75

Tensión colector-emisor (Vce): 350

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 4.5

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Tiempo de elevación: 100

Capacitancia de salida (Cc), pF: 800pF

Empaquetado / Estuche: TO218

Búsqueda de reemplazo de RCH10N35 - IGBT

 

RCH10N35 Datasheet (PDF)

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