RCH10N35 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCH10N35  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 350 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 800pF pF

Encapsulados: TO218

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RCH10N35 datasheet

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