RCP10N35 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCP10N35  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 350 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 800pF pF

Encapsulados: TO220

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RCP10N35 datasheet

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Otros transistores... PPNHZ52F120A, PPNHZ52F120B, RCH10N35, RCH10N40, RCH10N40A, RCM10N35, RCM10N40, RCM10N40A, FGH30S130P, RCP10N40, RCP10N40A, OST50N65H4EWF, SGF15N90D, SGF30N60RUF, SGF30N60RUFD, SGF40N60UF, SGF40N60UFD