RCP10N40 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RCP10N40
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 5 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 800pF pF
Paquete / Cubierta: TO220
- Selección de transistores por parámetros
RCP10N40 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... PPNHZ52F120B , RCH10N35 , RCH10N40 , RCH10N40A , RCM10N35 , RCM10N40 , RCM10N40A , RCP10N35 , NCE80TD65BT , RCP10N40A , OST50N65H4EWF , SGF15N90D , SGF30N60RUF , SGF30N60RUFD , SGF40N60UF , SGF40N60UFD , SGF5N150UF .
History: BLG60T65FDL-W | NCE20TD60BF | MMG200D170B6TC | APTGF25X120E2 | MSG100D350FH | GA600GD25S | IRGP4069DPBF
History: BLG60T65FDL-W | NCE20TD60BF | MMG200D170B6TC | APTGF25X120E2 | MSG100D350FH | GA600GD25S | IRGP4069DPBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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