RCP10N40 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RCP10N40  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 5 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 800pF pF

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RCP10N40

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RCP10N40 даташит

No data!

Другие IGBT... PPNHZ52F120B, RCH10N35, RCH10N40, RCH10N40A, RCM10N35, RCM10N40, RCM10N40A, RCP10N35, TGPF30N43P, RCP10N40A, OST50N65H4EWF, SGF15N90D, SGF30N60RUF, SGF30N60RUFD, SGF40N60UF, SGF40N60UFD, SGF5N150UF