SGF80N60UFD Todos los transistores

 

SGF80N60UFD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGF80N60UFD
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 115 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 33 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 347 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 178 nC
   Paquete / Cubierta: TO3PF
 

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SGF80N60UFD datasheet

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SGF80N60UFD

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SGF80N60UFD

October 2001 IGBT SGF80N60UF Ultra-Fast IGBT General Description Features Fairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) UF High Speed Switching series provides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40A UF series is designed for the applications such as motor High Input Impedance control and general inverters where High

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