SGF80N60UFD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGF80N60UFD  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 115 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 33 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 347 pF

Encapsulados: TO3PF

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SGF80N60UFD datasheet

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SGF80N60UFD

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SGF80N60UFD

October 2001 IGBT SGF80N60UF Ultra-Fast IGBT General Description Features Fairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) UF High Speed Switching series provides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40A UF series is designed for the applications such as motor High Input Impedance control and general inverters where High

Otros transistores... OST50N65H4EWF, SGF15N90D, SGF30N60RUF, SGF30N60RUFD, SGF40N60UF, SGF40N60UFD, SGF5N150UF, SGF80N60UF, FGL60N100BNTD, SGH10N120RUF, SGH10N120RUFD, SGH10N60RUFD, SGH13N60UFD, SGH15N120RUF, SGH15N120RUFD, SGH15N60RUFD, SGH20N120RUF