Справочник IGBT. SGF80N60UFD

 

SGF80N60UFD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGF80N60UFD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 33 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 347 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 178 nC
   Тип корпуса: TO3PF

 Аналог (замена) для SGF80N60UFD

 

 

SGF80N60UFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  1
 sgf80n60ufd.pdf

SGF80N60UFD SGF80N60UFD

 4.1. Size:567K  fairchild semi
 sgf80n60uf.pdf

SGF80N60UFD SGF80N60UFD

October 2001 IGBTSGF80N60UFUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) UF High Speed Switchingseries provides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40AUF series is designed for the applications such as motor High Input Impedancecontrol and general inverters where High

Другие IGBT... OST50N65H4EWF , SGF15N90D , SGF30N60RUF , SGF30N60RUFD , SGF40N60UF , SGF40N60UFD , SGF5N150UF , SGF80N60UF , IRG4PC40W , SGH10N120RUF , SGH10N120RUFD , SGH10N60RUFD , SGH13N60UFD , SGH15N120RUF , SGH15N120RUFD , SGH15N60RUFD , SGH20N120RUF .

 

 
Back to Top