SGH13N60UFD Todos los transistores

 

SGH13N60UFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGH13N60UFD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 13 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 26 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 63 pF
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGH13N60UFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:274K  samsung
 sgh13n60ufd.pdf pdf_icon

SGH13N60UFD

N-CHANNEL IGBT SGH13N60UFDFEATURESTO-3P* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.95 V (@ Ic=6.5A)* High Input Impedance*CO-PAK, IGBT with FRD : Trr = 37nS (typ.)APPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose InvertersG* Robotics , Servo Controls* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharact

Otros transistores... SGF40N60UF , SGF40N60UFD , SGF5N150UF , SGF80N60UF , SGF80N60UFD , SGH10N120RUF , SGH10N120RUFD , SGH10N60RUFD , IRGP4063 , SGH15N120RUF , SGH15N120RUFD , SGH15N60RUFD , SGH20N120RUF , SGH20N120RUFD , SGH20N60RUFD , SGH23N60UFD , SGH25N120RUF .

History: NGTB20N120IHWG | IXA20IF1200HB | KGT15N120KDA | MMG75W120X6TN | NGTG50N60FLWG | GM200HB12CT | SKW30N60

 

 
Back to Top

 


 
.