SGH13N60UFD Todos los transistores

 

SGH13N60UFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGH13N60UFD
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 13 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 26 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 63 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 25 nC
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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SGH13N60UFD Datasheet (PDF)

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SGH13N60UFD

N-CHANNEL IGBT SGH13N60UFDFEATURESTO-3P* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.95 V (@ Ic=6.5A)* High Input Impedance*CO-PAK, IGBT with FRD : Trr = 37nS (typ.)APPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose InvertersG* Robotics , Servo Controls* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharact

Otros transistores... SGF40N60UF , SGF40N60UFD , SGF5N150UF , SGF80N60UF , SGF80N60UFD , SGH10N120RUF , SGH10N120RUFD , SGH10N60RUFD , KGF75N65KDF , SGH15N120RUF , SGH15N120RUFD , SGH15N60RUFD , SGH20N120RUF , SGH20N120RUFD , SGH20N60RUFD , SGH23N60UFD , SGH25N120RUF .

 

 
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