SGH23N60UFD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGH23N60UFD  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 100 pF

Encapsulados: TO3P

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SGH23N60UFD datasheet

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SGH23N60UFD

September 2000 IGBT SGH23N60UFD Ultra-Fast IGBT General Description Features Fairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) UFD High Speed Switching series provides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 12A UFD series is designed for the applications such as motor High Input Impedance control and general inverters where

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SGH23N60UFD

N-CHANNEL IGBT SGH23N60UF FEATURES TO-3P * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.95 V (@ Ic=12A) * High Input Impedance APPLICATIONS C * AC & DC Motor controls * General Purpose Inverters * Robotics , Servo Controls G * Power Supply * Lamp Ballast E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating Units Characteristics VCES 600 V Collector-Emitter Voltage

Otros transistores... SGH10N60RUFD, SGH13N60UFD, SGH15N120RUF, SGH15N120RUFD, SGH15N60RUFD, SGH20N120RUF, SGH20N120RUFD, SGH20N60RUFD, CRG60T60AN3H, SGH25N120RUF, SGH30N60RUF, SGH30N60RUFD, SGH40N60UF, SGH40N60UFD, SGH5N120RUF, SGH5N120RUFD, SGH80N60UF