SGL25N120RUFD Todos los transistores

 

SGL25N120RUFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGL25N120RUFD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 270 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 220 pF
   Paquete / Cubierta: TO264
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGL25N120RUFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:567K  fairchild semi
 sgl25n120rufd.pdf pdf_icon

SGL25N120RUFD

IGBTSGL25N120RUFDShort Circuit Rated IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's RUFD series of Insulated Gate Bipolar Short circuit rated 10s @ TC = 100C, VGE = 15VTransistors (IGBTs) provides low conduction and switching High speed switchinglosses as well as short circuit ruggedness. The RUFD Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 25Aseries is designe

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History: OST80N65H4EMF | RJH60F6DPQ-A0 | IRGP4066D-E | IXSH24N60B | IRGP35B60PD | SGB15N60HS | IRGB4056D

 

 
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