SGL25N120RUFD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGL25N120RUFD  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 270 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 220 pF

Encapsulados: TO264

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SGL25N120RUFD datasheet

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SGL25N120RUFD

IGBT SGL25N120RUFD Short Circuit Rated IGBT General Description Features Fairchild's RUFD series of Insulated Gate Bipolar Short circuit rated 10 s @ TC = 100 C, VGE = 15V Transistors (IGBTs) provides low conduction and switching High speed switching losses as well as short circuit ruggedness. The RUFD Low saturation voltage VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 25A series is designe

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