SGL25N120RUFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGL25N120RUFD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 270 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 220 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 110 nC
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de SGL25N120RUFD - IGBT
SGL25N120RUFD Datasheet (PDF)
sgl25n120rufd.pdf
IGBTSGL25N120RUFDShort Circuit Rated IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's RUFD series of Insulated Gate Bipolar Short circuit rated 10s @ TC = 100C, VGE = 15VTransistors (IGBTs) provides low conduction and switching High speed switchinglosses as well as short circuit ruggedness. The RUFD Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 25Aseries is designe
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Liste
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