SGL30N60RUFD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGL30N60RUFD  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 230 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 26 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 304 pF

Encapsulados: TO264

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SGL30N60RUFD datasheet

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SGL30N60RUFD

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