SGL40N150D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGL40N150D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 700 pF
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de SGL40N150D - IGBT
SGL40N150D Datasheet (PDF)
sgl40n150d.pdf
N- CHANNEL IGBTSGL40N150DFEATURESTO-264* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 3.7 V typ. at Ic=40A1* High Input Impedance* Built in Fast Recovery Diode :VF=1.7 at IF=10A, trr=170nSCAPPLICATIONSG* Home Appliance - Induction Heater - IH JAR E - Micro Wave OvenABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Characteristics UnitRatingVCESCollect
sgl40n150.pdf
N- CHANNEL IGBTSGL40N150FEATURESTO-264* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 3.7 V typ. (at Ic=40A)1* High Input ImpedanceAPPLICATIONSC* Home Appliance - Induction HeaterG - IH JAR - Micro Wave Oven EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Characteristics UnitRatingVCESCollector-Emitter Voltage V1500VGEGate - Emitter Voltage V 25
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Liste
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