SGL40N150D - аналоги и описание IGBT

 

SGL40N150D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGL40N150D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 700 pF

Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для SGL40N150D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGL40N150D даташит

 ..1. Size:415K  samsung
 sgl40n150d.pdf pdf_icon

SGL40N150D

N- CHANNEL IGBT SGL40N150D FEATURES TO-264 * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 3.7 V typ. at Ic=40A 1 * High Input Impedance * Built in Fast Recovery Diode VF=1.7 at IF=10A, trr=170nS C APPLICATIONS G * Home Appliance - Induction Heater - IH JAR E - Micro Wave Oven ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Characteristics Unit Rating VCES Collect

 5.1. Size:171K  samsung
 sgl40n150.pdf pdf_icon

SGL40N150D

N- CHANNEL IGBT SGL40N150 FEATURES TO-264 * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 3.7 V typ. (at Ic=40A) 1 * High Input Impedance APPLICATIONS C * Home Appliance - Induction Heater G - IH JAR - Micro Wave Oven E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Characteristics Unit Rating VCES Collector-Emitter Voltage V 1500 VGE Gate - Emitter Voltage V 25

Другие IGBT... SGI25N40 , SGL10N60RUFD , SGL15N60RUFD , SGL160N60UFD , SGL20N60RUFD , SGL25N120RUFD , SGL30N60RUFD , SGL40N150 , GT30F126 , SGL50N60RUFD , SGL5N60RUFD , SGL60N90D , SGL60N90DG3 , SGP10N60RUF , SGP13N60UF , SGP13N60UFD , SGP15N60RUF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.