SGP5N60RUFD Todos los transistores

 

SGP5N60RUFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGP5N60RUFD
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 8 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 18 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 60 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 24 nC
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGP5N60RUFD Datasheet (PDF)

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SGP5N60RUFD

CO-PAK IGBT SGP5N60RUFDFEATURESTO-220* Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.0 V @ Ic=5A* High Input Impedance* CO-PAK, IGBT with FRD : Trr = 37nS (Typ.)CAPPLICATIONS* AC & DC Motor controlsG* General Purpose Inverters* Robotics , Servo Controls* Power Supply E* Lamp BallastABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 4.1. Size:280K  samsung
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SGP5N60RUFD

N-CHANNEL IGBT SGP5N60RUFFEATURESTO-220* Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.0 V @ Ic=5A* High Input ImpedanceAPPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose Inverters* Robotics , Servo ControlsG* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteristicsVCES

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History: IXBF12N300 | APT15GP90K | IRGB4086 | IXGK60N60B2D1

 

 
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