SGP5N60RUFD - аналоги и описание IGBT

 

SGP5N60RUFD - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGP5N60RUFD

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SGP5N60RUFD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGP5N60RUFD даташит

 ..1. Size:324K  samsung
 sgp5n60rufd.pdf pdf_icon

SGP5N60RUFD

CO-PAK IGBT SGP5N60RUFD FEATURES TO-220 * Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.0 V @ Ic=5A * High Input Impedance * CO-PAK, IGBT with FRD Trr = 37nS (Typ.) C APPLICATIONS * AC & DC Motor controls G * General Purpose Inverters * Robotics , Servo Controls * Power Supply E * Lamp Ballast ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 4.1. Size:280K  samsung
 sgp5n60ruf.pdf pdf_icon

SGP5N60RUFD

N-CHANNEL IGBT SGP5N60RUF FEATURES TO-220 * Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.0 V @ Ic=5A * High Input Impedance APPLICATIONS C * AC & DC Motor controls * General Purpose Inverters * Robotics , Servo Controls G * Power Supply * Lamp Ballast E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating Units Characteristics VCES

Другие IGBT... SGP10N60RUF , SGP13N60UF , SGP13N60UFD , SGP15N60RUF , SGP20N60RUF , SGP23N60UF , SGP40N60UF , SGP5N60RUF , RJH3047 , SGP6N60UF , SGP6N60UFD , SGR15N40L , SGR20N40L , SGR2N60UFD , SGR5N60RUF , SGR6N60UF , SGS10N60RUF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.