SGU1N60XFD Todos los transistores

SGU1N60XFD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGU1N60XFD

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 20 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 15 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 12 pF

Encapsulados: IPAK

- Selección ⓘ de transistores por parámetros