SGW13N60UF Todos los transistores

 

SGW13N60UF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGW13N60UF

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 26 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 36 pF

Encapsulados: TO263

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SGW13N60UF datasheet

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SGW13N60UF

N-CHANNEL IGBT SGW13N60UF FEATURES D2-PAK * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.95 V (@ Ic=6.5A) * High Input Impedance APPLICATIONS C * AC & DC Motor controls * General Purpose Inverters * Robotics , Servo Controls G * Power Supply * Lamp Ballast E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating Units Characteristics VCES 600 V Collector-Emitter Voltage

 0.1. Size:274K  samsung
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SGW13N60UF

N-CHANNEL IGBT SGW13N60UFD FEATURES D2-PAK * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.95 V (@ Ic=6.5A) * High Input Impedance *CO-PAK, IGBT with FRD Trr = 37nS (typ.) APPLICATIONS C * AC & DC Motor controls * General Purpose Inverters G * Robotics , Servo Controls * Power Supply * Lamp Ballast E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating Units Charac

Otros transistores... SGS23N60UFD , SGS5N60RUF , SGS5N60RUFD , SGS6N60UF , SGS6N60UFD , SGU15N40L , SGU1N60XFD , SGU20N40L , GT30F131 , SGW13N60UFD , SGW23N60UF , SGW5N60RUF , SGW5N60RUFD , SGW6N60UF , SGW6N60UFD , HIH30N140IH-DB , HIA50N65IH-SA .

History: TGAN40N60F2D | STGWT40H65DFB | STGB19NC60W | SGP15N60RUF | XP035PJE120AT1B2 | SRE30N065FSUDG | TGAN40N120F2DW

 

 

 

 

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