SKM100GAX173D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM100GAX173D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.4 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1000 pF
Encapsulados: MODULE
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SKM100GAX173D datasheet
skm100gax173d skm100gay173d.pdf
SEMITRANS M Absolute Maximum Ratings Values IGBT Modules Symbol Conditions 1) Units VCES 1700 V VCGR RGE = 20 k 1700 V SKM 100 GAX 173 D 6) IC Tcase = 25/80 C 110 / 75 A SKM 100 GAY 173 D 6) ICM Tcase = 25/80 C; tp = 1 ms 220 / 150 A VGES 20 V Ptot per IGBT/Diode, Tcase = 25 C 625 / 310 W Tj, (Tstg) 40 ... +150 (125) C Visol AC, 1 min. 4000 V humidity DIN 40 04
skm100gal12t4.pdf
SKM100GAL12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 160 A Tj = 175 C Tc =80 C 123 A ICnom 100 A ICRM ICRM = 3xICnom 300 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 121 A Tj = 175 C SKM100GAL12T
Otros transistores... SGW5N60RUFD , SGW6N60UF , SGW6N60UFD , HIH30N140IH-DB , HIA50N65IH-SA , HIA30N140IH-DA , SKM100GAL123D , SKM100GAR123D , TGPF30N43P , SKM100GAY173D , SKM100GB063D , SKM100GB123D , SKM100GB124D , SKM100GB173D , SKM100GD063DL , SKM145GAL063DN , SKM145GAL123D .
History: SRE15N060FSUDE
History: SRE15N060FSUDE
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