SKM100GB173D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM100GB173D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 110 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.4 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1000 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
SKM100GB173D Datasheet (PDF)
skm100gb12v.pdf
SKM100GB12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 159 ATj = 175 CTc =80C 121 AICnom 100 AICRM ICRM = 3xICnom 300 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 2tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 121 ATj = 175 CSKM100GB12VTc =80C 91 AIFnom 1
Otros transistores... HIA30N140IH-DA , SKM100GAL123D , SKM100GAR123D , SKM100GAX173D , SKM100GAY173D , SKM100GB063D , SKM100GB123D , SKM100GB124D , FGH75T65UPD , SKM100GD063DL , SKM145GAL063DN , SKM145GAL123D , SKM145GAL124DN , SKM145GAL174DN , SKM145GAR123D , SKM145GAX123D , SKM145GAY123D .
History: IXGH42N30C3 | IXGT30N60C3D1 | HYG30P120H1K1 | DL2G50SH6N | IXYH100N65C3 | IKY40N120CH3 | MMG200DR120B
History: IXGH42N30C3 | IXGT30N60C3D1 | HYG30P120H1K1 | DL2G50SH6N | IXYH100N65C3 | IKY40N120CH3 | MMG200DR120B
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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