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SKM100GB173D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM100GB173D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 110 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.2 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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SKM100GB173D Datasheet (PDF)

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SKM100GB173D

SKM100GB12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 159 ATj = 175 CTc =80C 121 AICnom 100 AICRM ICRM = 3xICnom 300 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 2tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 121 ATj = 175 CSKM100GB12VTc =80C 91 AIFnom 1

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History: SKM145GAY123D | SKM800GA176D | IXSK30N60CD1

 

 
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