SKM145GAL063DN - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM145GAL063DN
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 700 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 65 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1000 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
SKM145GAL063DN Datasheet (PDF)
Otros transistores... SKM100GAR123D , SKM100GAX173D , SKM100GAY173D , SKM100GB063D , SKM100GB123D , SKM100GB124D , SKM100GB173D , SKM100GD063DL , MBQ50T65FESC , SKM145GAL123D , SKM145GAL124DN , SKM145GAL174DN , SKM145GAR123D , SKM145GAX123D , SKM145GAY123D , SKM145GB063DN , SKM145GB123D .
History: MG200HF12MRC2 | APT20GF120KR | 1MBH20D-060 | AFGHL40T65SPD | IXGC16N60C2 | MM50G3U120BMX | IXYH24N90C3D1
History: MG200HF12MRC2 | APT20GF120KR | 1MBH20D-060 | AFGHL40T65SPD | IXGC16N60C2 | MM50G3U120BMX | IXYH24N90C3D1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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