SKM145GAX123D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM145GAX123D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 830 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 145 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1000 pF
Encapsulados: MODULE
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SKM145GAX123D datasheet
skm145gax123d skm145gay123d.pdf
SEMITRANS M Absolute Maximum Ratings Values IGBT Modules Symbol Conditions 1) Units VCES 1200 V VCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 145 GAX 123 D 6) IC Tcase = 25/80 C 145 / 110 A SKM 145 GAY 123 D 6) ICM Tcase = 25/80 C; tp = 1 ms 290 / 220 A VGES 20 V Ptot per IGBT, Tcase = 25 C 830 W Tj, (Tstg) 40 ... +150 (125) C Visol AC, 1 min. 2500 V humidity DIN 40 040 Class F
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