SKM145GAX123D - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SKM145GAX123D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 145 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1000 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SKM145GAX123D
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SKM145GAX123D даташит
skm145gax123d skm145gay123d.pdf
SEMITRANS M Absolute Maximum Ratings Values IGBT Modules Symbol Conditions 1) Units VCES 1200 V VCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 145 GAX 123 D 6) IC Tcase = 25/80 C 145 / 110 A SKM 145 GAY 123 D 6) ICM Tcase = 25/80 C; tp = 1 ms 290 / 220 A VGES 20 V Ptot per IGBT, Tcase = 25 C 830 W Tj, (Tstg) 40 ... +150 (125) C Visol AC, 1 min. 2500 V humidity DIN 40 040 Class F
Другие IGBT... SKM100GB124D , SKM100GB173D , SKM100GD063DL , SKM145GAL063DN , SKM145GAL123D , SKM145GAL124DN , SKM145GAL174DN , SKM145GAR123D , TGD30N40P , SKM145GAY123D , SKM145GB063DN , SKM145GB123D , SKM145GB124D , SKM145GB124DN , SKM145GB174DN , SKM150GAL123D , SKM150GAR123D .
History: XP15PJS120CL1B1 | TGAN40N65F2DS | SII75N12 | TGAN40S160FD | SRE40N065FSUDG | SGL40N150D | YGW50N120FP
History: XP15PJS120CL1B1 | TGAN40N65F2DS | SII75N12 | TGAN40S160FD | SRE40N065FSUDG | SGL40N150D | YGW50N120FP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n