SKM145GB123D Todos los transistores

 

SKM145GB123D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM145GB123D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 830 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 145 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

SKM145GB123D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:644K  semikron
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 4.1. Size:641K  semikron
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SKM145GB123D

SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesLow Loss IGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 1200 VVCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 145 GB 124 DIC Tcase = 25/70 C 190 / 145 AICM Tcase = 25/70 C; tp = 1 ms 380 / 290 AVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 800 WTj, (Tstg) 40 ... + 150 (125) CVisol AC, 1 min. 2 500 Vhumidity DIN 40040 Class Fclimate DIN IEC

 5.1. Size:630K  semikron
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SKM145GB123D

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History: MMG100S120B6HN | DM2G150SH6NE | MMG200D120B6UC | CM50YE13-12H | CM100RL-24NF | 7MBR25VM120-50 | CM600DXL-24S

 

 
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